浙江大学刘添为一作，亨通浙江大学褚驰恒教授和日本中央大学理工学院ZhenhuaPan教授为共同通讯作者。

作者最后对α-和β′-In2Se3NVM器件进行了保留时间和耐久性测量，入选结果显示α相的保留时间很长，循环稳定性更好（图3i-k）。二、中国【成果掠影】    近日，中国香港理工大学应用物理系的赵炯教授、杨明教授团队与香港城市大学李淑惠教授团队报道了二维In2Se3薄膜多种相的大面积、可控生长。

同时，电信作者还在图2a中通过DFT计算比较了不同Se空位浓度的单层β/β′相的基态能量。©2022Nat.Nanotechnol.    图3a，产品b中作者以这些二维半导体作为通道设计了FE-FET。图4j展示了通过栅极电压控制对α-β′结器件进行的NVM保留测试，亨通它显示了超过22,000秒的长保留时间和6000次循环的显著耐久性。

作者通过实验和理论机理研究证实了InSe晶体的种子效应，入选它引发了In2Se3从β相到β′相的转变。β′相可以在~3%-8%的（拉伸）应变范围内转变为α相，中国反之亦然。

图4f显示了STEM的α-β′结的原子结构，电信显示了由带有周期性条纹的β′相和没有条纹的α相连接的界面区域。

产品图1d展示了β-In2Se3薄膜随时间变化的光学图像以及相应的示意图展示了三个生长阶段：（1）小的二维β-In2Se3晶体的成核。亨通在NanoEnergy,Chem.Eng.J,Compos.PartAAppl.Sci.Manuf.,Polym.Adv. Technol.上发表论文5篇。

近年来，入选在Chem.Soc.Rev.,Adv.Mater，入选ACSNano，NanoLett，Adv.Funct.Mater.，等国际著名刊物上发表SCI收录论文共计200余篇，其中影响因子IF10论文70余篇，ESI高被引论文20篇，引用1.2万余次,多次入选Stanford-Elsevier全球全领域Top科学家。它优良的导电性、中国较高的机械强度、中国可控的光学性质和带隙、可调节的结构和工作功能等优势，使其成为储能、催化、传感、电磁屏蔽、和膜技术等领域的潜在候选材料。

此外，电信在100多次循环中，库仑效率稳定在100%。通讯作者简介杨维清教授简介：产品西南交通大学材料科学与工程学院教授/博导，产品四川省第十二届和第十三届政协委员，四川省杰出青年，主要从事纳米能源材料与功能器件的应用基础研究。